Информация о продукте Карбид кремния считается полупроводниковым материалом третьего поколения после полупроводниковых материалов из кремния и арсенида галлия. Это сложный полупроводник. ●Преимущества карбида кремния: >>>Запрещенная полоса пропускания (3~3,3)ev >>>Высокое электр...
Карбид кремния считается полупроводниковым материалом третьего поколения после полупроводниковых материалов из кремния и арсенида галлия. Это сложный полупроводник. ●Преимущества карбида кремния: >>>Запрещенная полоса пропускания (3~3,3)ev >>>Высокое электрическое поле лавинного пробоя (2,5~5) МВ/см >>>Высокая теплопроводность (3~4,5)Вт/см Вт/см·К >>>Высокая рабочая температура (до 1000℃) >>>Высокая химическая стабильность ●Преимущества карбида кремния: >>>Корректор коэффициента мощности >>>Преобразователи постоянного/переменного тока для производства солнечной и ветровой энергии >>>Промышленное приводное устройство >>>Зарядные устройства для электромобилей и гибридных автомобилей >>>Выходной выпрямитель >>>Применение бытовой техники Наша компания может производить диоды Шоттки из карбида кремния в диапазоне 0,05–100 А; Кремниевый блок диодов Шоттки 18000 В. Благодаря превосходным характеристикам устройств из карбида кремния, таким как высокая частота, высокое напряжение, высокая температура перехода, высокая теплопроводность, высокая плотность тока и низкие потери, трансформаторы, индукторы фильтров, конденсаторы, радиаторы и линии передачи электронных устройств могут быть миниатюризированным. Таким образом, благодаря непрерывному развитию, продвижению и применению силовых электронных устройств из карбида кремния надежность и стабильность электронных устройств неизбежно будут повышены до нового этапа. ☆SIC MOSFET(TA=25℃) |
|||||||
модель | VDSS (V) | ID (A) | RdS(ON)
(mΩ) |
VGS(th)
(V) |
Tj/Tstg
(℃) |
Форма упаковки | |
MOS30-5 | 450 | 30 | 35 | 2 | 3.9 | -55~175 | TO-263-7 |
MOS68-6 | 600 | 68 | 35 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
MOS29-6.5 | 650 | 29 | 60 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7H |
MOS55-6.5 | 650 | 55 | 30 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7H |
MOS72-6.5 | 650 | 72 | 40 | 1.8 | 5 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L |
MOS156-8 | 750 | 156 | 18 | 1.8 | 5 | -55~175 | TO-247-3/TO-263-7H |
MOS17-8 | 800 | 17 | 80 | 2 | 4 | -55~175 | TO-263 |
MOS6.8-12 | 1200 | 6.8 | 750 | 2 | 5 | -55~175 | TO-247 |
MOS11-12 | 1200 | 11 | 160 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
модель | VDSS (V) | ID (A) | RdS(ON)
(mΩ) |
VGS(th)
(V) |
Tj/Tstg
(℃) |
Форма упаковки | |
MOS13-12 | 1200 | 13 | 160 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
MOS18-12 | 1200 | 19 | 160 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7H |
MOS20-12 | 1200 | 20 | 160 | 1.8 | 5 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7 |
MOS30-12 | 1200 | 30 | 80 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
MOS40-12 | 1200 | 40 | 80 | 1.8 | 5 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7 |
MOS60-12 | 1200 | 60 | 40 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
MOS80-12 | 1200 | 80 | 28 | 1.5 | 3 | -55~175 | TO-247-3L |
MOS90-12 | 1200 | 90 | 25 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
MOS111-12 | 1200 | 111 | 17 | 1.8 | 5 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L |
MOS400-12 | 1200 | 400 | 6.2 | 2 | 4 | -55~175 | 108mm×62mm×38mm |
MOS4-15 | 1500 | 4 | 80 | 2 | 4 | -55~175 | ТО-258 (металлический корпус) |
MOS3-17 | 1700 | 3 | 1000 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247 |
MOS5-17 | 1700 | 5 | 1000 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247-4L/TO-247-3L |
MOS72-17 | 1700 | 72 | 45 | 2 | 4 | -55~175 | TO-247-3L |
★ Форма упаковки может быть настроена в соответствии с потребностями пользователя. |