Основы работы с IGBT

Новости

Новости

Основы работы с IGBT

Основы работы с IGBT

Что такое IGBT? IGBT, биполярный транзистор с изолированным затвором, биполярный транзистор (BJT) и полевой транзистор с изолированным затвором (MOS) - составные полностью управляемые напряжением с...

Структура MOSFET, символы, принцип работы

Структура MOSFET, символы, принцип работы

1.Определение и классификация Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET), также известный как полевой транзистор с изолированным затвором (GFET) В зависимости от типов носителей,...

Полупроводники, PN-переходы, диоды, транзисторы, полевые трубки

Полупроводники, PN-переходы, диоды, транзисторы, полевые трубки

Полупроводник Элементы, из которых состоит полупроводник, такие как кремний (si), германий (ge), в наружном слое которых находятся четыре электрона, эти четыре электрона нелегко запустить, но не мо...

Основные знания о полупроводниковых дискретных приборах

Основные знания о полупроводниковых дискретных приборах

1. Основная концепция дискретных устройств Полупроводниковые дискретные приборы изготавливаются из полупроводниковых материалов, с единственной функцией или специфической функцией электронных компо...

Разница между полупроводниковыми компонентами, микросхемами, процессорами, CPU, MCU

Разница между полупроводниковыми компонентами, микросхемами, процессорами, CPU, MCU

1. Разница между полупроводниковыми компонентами и микросхемами Согласно международной стандартной классификации, в международной статистике полупроводников полупроводниковая промышленность делится...

Главная
Продукция
О Нас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение